Samsung cho biết họ đã bắt đầu việc sản xuất các thanh bộ nhớ RAM DIMM có dung lượng 32GB.
Loại bộ nhớ mới sẽ tiêu thụ ít điện năng hơn các thế hệ trước đó và giúp tạo nên các server có hiệu quả hơn. Ngoài ra, Samsung cũng sẽ hé lộ về dây chuyền DRAM 20nm của mình vào nửa cuối năm nay.
Các thanh bộ nhớ DIMM 32GB mới của Samsung được tạo nên từ các con chip đơn DDR3 30nm có dung lượng 4Gb. Số lượng chip nhớ trên mỗi thanh là 64 và xung nhịp hoạt động là 1866 MHz (tại mức điện thế 1.35V). So với các thanh bộ nhớ RDIMM 32GB 40nm thế hệ trước hoạt động với mức xung nhịp 1333 MHz tại 1.5V thì hiệu năng tăng khoảng 40% tuy nhiên năng lượng tiêu thụ lại giảm 18%. Xét trên mỗi con chip đơn 4Gb, năng suất của dây chuyền 30nm tăng khoảng 50% so với dây chuyền 40nm, nhờ đó thế hệ mới có khả năng đáp ứng thị trường nhanh đồng thời có mức giá tốt hơn. Các chip nhớ này có thể sử dụng cho cả PC, server và các thiết bị di động.
Dây chuyền sản xuất DDR3 4Gb 30nm của Samsung được bắt đầu vào tháng 2 năm nay, chỉ 12 tháng sau khi dây chuyền 40nm ra đời. Hiện tại, Samsung đã cung cấp các thanh bộ nhớ có dung lượng thấp hơn (16GB RDIMM, 8GB SO-DIMM) dựa trên các chip nhớ DDR3 4Gb 30nm cho các hệ thống nhỏ.
Samsung cũng cho biết thêm dây chuyền 20nm của họ sẽ được hé lộ vào nửa cuối năm nay. Dây chuyền mới có khả năng tạo ra những con chip tiết kiệm điện hơn và nhờ đó sẽ mở rộng thị trường bộ nhớ “xanh”. Những con chip nhớ 20nm đầu tiên của họ cũng sẽ xuất hiện trong thời gian này.
Theo VozExpress
Xem đầy đủ bài viết tại http://www.lomkom.com/2011/06/97548
No comments:
Post a Comment